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【2h】

Comparison of Dark Current Random Telegraph Signals in Silicon and InSb-Based Photodetector Pixel Arrays

机译：基于硅和基于INSB的光电探测器像素阵列的暗电流随机电报信号的比较

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Clementine Durnez; Vincent Goiffon; Cedric Virmontois; Pierre Magnan; Laurent Rubaldo;
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年度 2020
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1. Comparison of Dark Current Random Telegraph Signals in Silicon and InSb-Based Photodetector Pixel Arrays [J] . Clementine Durnez, Vincent Goiffon, Cedric Virmontois, Electron Devices, IEEE Transactions on . 2020,第11期

机译：基于硅和基于INSB的光电探测器像素阵列的暗电流随机电报信号的比较
2. In-Depth Analysis on Radiation Induced Multi-Level Dark Current Random Telegraph Signal in Silicon Solid State Image Sensors [J] . Clémentine Durnez, Vincent Goiffon, Cédric Virmontois, IEEE Transactions on Nuclear Science . 2017,第1期

机译：硅固态图像传感器中辐射诱发的多级暗电流随机电报信号的深入分析
3. Dark Current Random Telegraph Signals in Solid-State Image Sensors [J] . Virmontois C., Goiffon V., Robbins M.S., IEEE Transactions on Nuclear Science . 2013,第6aPart1期

机译：固态图像传感器中的暗电流随机电报信号
4. Localization of Dark Current Random Telegraph Signal sources in pinned photodiode CMOS Image Sensors [C] . Clémentine Durnez, Vincent Goiffon, Serena Rizzolo, International Conference on Noise and Fluctuations . 2017

机译：固定光电二极管CMOS图像传感器中暗电流随机电报信号源的定位
5. Measurements, modeling, and simulation of semiconductor/gate dielectric defects using random telegraph signals. [D] . Nour, Mohamed. 2015

机译：使用随机电报信号进行半导体/栅极介电缺陷的测量，建模和仿真。
6. Leakage Current Non-Uniformity and Random Telegraph Signals in CMOS Image Sensor Floating Diffusions Used for In-Pixel Charge Storage [O] . Alexandre Le Roch, Vincent Goiffon, Olivier Marcelot, 2019

机译：泄漏电流非均匀性和随机电报信号在CMOS图像传感器浮动扩散中用于贴上像素的电荷存储器
7. In-Depth Analysis on Radiation Induced Multi-Level Dark Current Random Telegraph Signal in Silicon Solid State Image Sensors [O] . Durnez Clementine, Goiffon Vincent, Virmontois Cédric, 2017

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