机译:NH_3-MBE或MOCVD生长的AlN / Si成核层对AlGaN / GaN HFET的性能的影响
机译:通过等离子体辅助MBE在(0001)蓝宝石上生长InGaN基LED,并在成核层中使用GaN QD
机译:AlN成核层生长条件对分子束外延(MBE)生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中缓冲液泄漏的影响
机译:来自氧气的氧气中的氧气中的氧气中的氧化层的核心生长III-n HEMT
机译:用于高性能HEMT的GaN异质结构的MBE生长
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:等离子辅助MBE在2至25 GHz下运行的高功率GaN / AlGaN / GaN HEMT