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【2h】

Epitaxial Growth of Ge Strain Relaxed Buffer on Si with Low Threading Dislocation Density

机译：具有低螺纹位错密度的葛应菌松弛缓冲液的外延生长

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年度 2016
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2. Ultralow threading dislocation density in GaN epilayer on near-strain-free GaN compliant buffer layer and its applications in hetero-epitaxial LEDs [J] . Huan-Yu Shih, Makoto Shiojiri, Ching-Hsiang Chen, Scientific reports. . 2015,第1期

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3. A model of threading dislocation density in strain-relaxed Ge and GaAs epitaxial films on Si (100) [J] . G. Wang, R. Loo, E. Simoen, Applied Physicsletters . 2009,第10期

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4. Epitaxial Growth of Ge Strain Relaxed Buffer on Si with Low Threading Dislocation Density [C] . A. Abedin, A. Asadollahi, K. Garidis, PRiME Joint International Meeting of the Electrochemical Society, the Electrochemical Society of Japan, and the Korean Electrochemical Society . 2016

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5. Growth of gallium nitride layers with very low threading dislocation densities. [D] . Han, Ilsu. 2009

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7. Epitaxial Growth of Ge Strain Relaxed Buffer on Si with Low Threading Dislocation Density [O] . A. Abedin, A. Asadollahi, K. Garidis, 2016

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Epitaxial Growth of Ge Strain Relaxed Buffer on Si with Low Threading Dislocation Density

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