机译:具有均匀侧面和离子注入JFET区域的新型平面功率MOSFET
机译:具有降低的导通电阻和改进的栅极氧化物可靠性的4H-SiC VDMO的优化JFET区域
机译:新型沟槽栅极功率MOSFET具有高击穿电压并在漂移区中使用SiGe区域降低了导通电阻
机译:具有高漏极区域的低导通电阻和低反馈电荷的横向功率MOSFET,用于高效DC / DC转换器
机译:针对低功耗模拟应用的双注入扩散MOSFET的评估。
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:氮离子注入对功率MOSFET栅极电介质电神耳性特性的影响
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发