机译:错误:通过将PTGE合金作为接触金属引入PTGE合金“Appl,制造N + -GE接触与超级接触电阻率。物理。吧。 107,113503(2015)
机译:通过引入PtGe合金作为接触金属来制造具有超低比接触电阻率的n〜+ -Ge接触
机译:勘误表:“与Sb掺杂的p型ZnO的低电阻Au / Ni欧姆接触” [Appl。物理来吧90,252103(2007)]
机译:评述“在合理的宏观结构超疏水表面上接近反弹液滴的理论接触时间” [Appl。物理来吧107,111604(2015)
机译:用ZR-N-GE无定形中间层实现金属/ N〜+ -GE触点的超级接触电阻率
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:勘误表:在低场强度下具有较高比能的电磁能的磁性纳米粒子用于热疗 J.应用物理117094302(2015)
机译:评论``在合理的宏观结构超疏水表面上逼近弹跳液滴的理论接触时间''Appl。物理来吧107,111604(2015)]
机译:从接触电阻数据中精确提取特定接触电阻率的二维模拟