机译:金属杂质吸收到残留在MeV离子注入和退火的硅的R_P / 2区域中的缺陷
机译:通过等离子体氢化和退火在离子注入硅中的掩埋缺陷层处吸氢
机译:SIMS研究离子注入和退火硅中的吸气中心
机译:氢注入的och草硅的注入后退火过程中的吸氧和热供体形成
机译:对III-V族化合物半导体的等离子退火(等离子沉积,硅氮化物,离子注入)进行俄歇电子和X射线光电子能谱研究。
机译:CMOS图像传感器的暗电流光谱法对碳氢化合物分子离子注入的硅晶片进行吸杂设计
机译:氦气植入诱导的投影离子范围的一半中的硅中铜的吸收
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管