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Nanoscale Characterization of Active Doping Concentration in Boron-Doped Individual Si Nanocrystals (Phys. Status Solidi A 23∕2018)

机译：纳米掺杂单独的Si纳米晶体中活性掺杂浓度的纳米级表征（物理学。现状SOLIDI A 23/2018）

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Jie Xu; Dongke Li; Deyuan Chen; Wei Li; Jun Xu;
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年度 2018
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1. Nanoscale Characterization of Active Doping Concentration in Boron-Doped Individual Si Nanocrystals [J] . Jie Xu, Dongke Li, Deyuan Chen, Physica status solidi . 2018,第23期

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2. Erratum:Interconnection of the parameters obtained from the dielectric spectrum of CaF_2doped with ErF_3and YbF_3 [Phys. Status Solidi B 245, No. 8, 1534-1537 (2008)] [J] . Aglaia Vassilikou-Dova, Vassiliki Katsika-Tsigourakou Physica status solidi, B. Basic research . 2009,第2期

机译：勘误表：从掺有ErF_3和YbF_3的CaF_2的介电谱获得的参数的相互关系[Phys。状态Solidi B 245，第8号，1534-1537（2008）]
3. Analysis of Point Defects in Graphene Using Low Dose Scanning Transmission Electron Microscopy Imaging and Maximum Likelihood Reconstruction (Phys. Status Solidi B 11/2017) [J] . Kramberger Christian, Mittelberger Andreas, Hofer Christoph, Physica status solidi, B. Basic research . 2017,第11期

机译：利用低剂量扫描透射电子显微镜成像和最大似然重构的石墨烯点缺陷分析（Phys。Status Solidi B 11/2017）
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