机译:用掺杂浓度和热处理的TMA钝化HFdyox / GE门堆的接口化学调制与介电优化
机译:用掺杂浓度和热处理的TMA钝化HFdyox / GE门堆的接口化学调制与介电优化
机译:使用掺杂浓度和热处理对TMA钝化的HfDyOx / Ge栅堆叠进行界面化学调制和介电优化
机译:ALD驱动层压层间界面TMA钝化高k / GE栅极堆栈的界面化学和介电优化
机译:用EOT费用少的多晶硅界面附近的电介质中的Hf浓度控制,仔细研究了多晶硅/ HfSiON栅堆叠的不对称Vfb漂移问题及其解决方案
机译:高介电常数栅极堆叠材料的界面研究。
机译:热烧蚀过程中对比介质掺杂的水散切片:优化对比介质浓度以提高CT图像的可见性
机译:通过Gd掺入和热退火调制的HfO2 / Ge栅堆叠的界面化学和介电性质的演变