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【2h】

Erratum: “Characterization of GaAs/AlGaAs laser mesas regrown with semi-insulating GaInP by scanning capacitance microscopy” Appl. Phys. Lett. 81, 960 (2002)

机译：错误：“通过扫描电容显微镜的半绝缘增益，”GaAs / Algaas激光Mesas的表征“Appl。物理。吧。 81,960（2002）

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O. Douhéret; S. Anand; C. Angulo Barrios; S. Lourdudoss;
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年度 2002
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1. Epitaxially Regrown GaAs/AlGaAs Laser Mesas with Semi-Insulating GaInP:Fe and GaAs:Fe [J] . C. Angulo Barrios, E. Rodriguez Messmer, M. Holmgren, Journal of Electronic Materials . 2001,第8期

机译：GaInP：Fe和GaAs：Fe半绝缘的外延生长GaAs / AlGaAs激光台面
2. Erratum: “Addendum: ‘A study of capacitance-voltage curve narrowing effect in capacitive microelectromechanical switches’ [Appl. Phys. Lett. 93, 094101 (2008)]” [Appl. Phys. Lett. 100, 029903 (2012)] [J] . Olszewski Zbigniew, Houlihan Ruth, OMahony Conor, Applied Physics Letters . 2012,第6期

机译：勘误表：“附录：‘电容式微机电开关中电容-电压曲线变窄效应的研究’物理来吧93，094101（2008）]” [应用物理来吧100，029903（2012）]
3. Erratum: 'Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AIGaAs heterostructure' [Appl. Phys. Lett. 92, 012101 (2008)] [J] . J. Walachova, J. Zelinka, V. Malina, Applied Physicsletters . 2008,第10期

机译：勘误表：“嵌入GaAs / AIGaAs异质结构中的不同大小的自组装InAs量子点的弹道电子发射光谱/显微镜” [Appl。物理来吧92，012101（2008）]
4. Characterization of GaAs/AlGaAs buried-heterostructure lasers by scanning capacitance microscopy [C] . O Douheret, S Anand, C Angulo Barrios, Royal Microscopical Society Conference, Mar 25-29, 2001, Oxford University . 2001

机译：GaAs / AlGaAs埋藏异质结构激光器的扫描电容显微镜表征
5. Response to “Comment on ‘Tunnel injection In0.4Ga0.6As/GaAsIn0.4Ga0.6As/GaAs quantum dot lasers with 15 GHz modulation bandwidth at room temperature’ ” [Appl. Phys. Lett. 81, 2659 (2002)] [O] . Bhattacharya, P., Ghosh, S. 2002

机译：回应“评论'隧道注入In0.4Ga0.6as / GaasIn0.4Ga0.6as / Gaas量子点激光器，室温下具有15 GHz调制带宽'”[appl。物理学。快报。 81,2659（2002）]

Erratum: “Characterization of GaAs/AlGaAs laser mesas regrown with semi-insulating GaInP by scanning capacitance microscopy” Appl. Phys. Lett. 81, 960 (2002)

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