机译:ZrO2作为GaN的晶体管的高k栅极电介质
机译:使用高k配混ZrO2 / hfO2纳米烷基栅极介质改善IGZO薄膜晶体管的栅极偏压稳定性
机译:考虑栅极电介质厚度缩放的InAs纳米线晶体管周围栅极的高K电介质的TCAD性能分析
机译:高k /金属栅晶体管中超薄高k电介质的带隙分析和建模
机译:高k门电介质:ZrO2,HFO2及其硅酸盐
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:以高k ZrO2为电介质的低导通电阻金刚石场效应晶体管
机译:使用高k电介质改善基于GaN的高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能和可靠性