机译:IndaAs / GaAs纳米脊的时间分辨的光致发光表征在300mm Si基材上单片生长
机译:IndaAs / GaAs纳米脊的时间分辨的光致发光表征在300mm Si基材上单片生长
机译:MOCVD在精确的Ge / Si(001)衬底上生长的单片集成InGaAs / GaAs / AlGaAs量子阱激光器
机译:MOCVD在LE-PECVD Ge / Si虚拟衬底上单片生长的应变InGaAs / GaAs QW结构的室温激光操作
机译:0.3PA暗电流和0.65A / W响应值1020nm IngaAs / GaAs纳米脊波导光电探测器在300mm Si晶片上整体整体
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:As2和As4源生长的InGaAs / GaAs量子棒的偏振光反射和光致发光光谱
机译:单片INGAAS / GAAS多QWS DFB纳米脊激光直接成长为300 mm Si晶圆
机译:mBE生长的InGaas / Gaas RC LED和VCsEL结构的光致发光映射和角分辨光致发光。