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机译:n掺杂的WS2单层中的激子复合物
Małgorzata Zinkiewicz; Tomasz Woźniak; Tomasz Kazimierczuk; Piotr Kapuscinski; Kacper Oreszczuk; Magdalena Grzeszczyk; Miroslav Bartoš; Karol Nogajewski; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Clement Faugeras; Piotr Kossacki; Marek Potemski; Adam Babiński; Maciej R. Molas;
机译:温度升高对WS2单层的兴力排放和降解过程的影响
机译:第一原理研究激发器效应半导体的两光子吸收:理论与应用于MOS2和WS2单层
机译:Quasi-2d Perovskite和单层WS2异质结构的激子能量转移
机译:旋转轨道耦合对单层WS2电子和激发器结构的影响
机译:单层MOS2和WS2冷壁CVD合成的探索
机译:激子发射单层半导体近场技术耦合至高Q微谐振器
机译:单层WS2中泻药复合物的异常显着转移
机译:用于生产无机富勒烯(如纳米颗粒和纳米管)的设备,用于生产WS2富勒烯(如纳米颗粒和纳米管)的合成方法,用于无机富勒烯的WS2纳米结构和润滑剂材料
机译:半导体元件隧道二极管具有n型掺杂的半导体层和p型掺杂的半导体层,在n型掺杂的半导体层上形成具有相邻的n型掺杂层面积的假晶半导体层
机译:制备N掺杂碳化钛及其N掺杂碳化钛的方法
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