机译:温度梯度附近晶体熔体界面近的SiC晶体溶液生长的影响(物理SOLISI A 20/2018)
机译:SiC晶种顶部溶液生长中晶界附近温度梯度的影响
机译:SiC顶晶溶液生长过程中相对于晶种旋转速度的生长界面附近碳迁移分析
机译:SiC晶体顶晶溶液生长中非轴对称溶液对流控制界面形状
机译:3C-SiC单晶的顶级种子溶液生长
机译:流化床结晶器中硫酸钾种子晶体的生长:温度和表面活性剂效应。
机译:外部静磁场下通过顶晶溶液生长提高SiC晶体生长速率和均匀性的数值研究
机译:微晶界面络合形成诱导的Alscn薄膜异常晶粒生长(Phys。状态Solidi A 2/2019)