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机译:具有新型操作模式的T形SOI隧道场效应晶体管
Chenhe Liu; Qinghua Ren; Zhixi Chen; Lantian Zhao; Chang Liu; Qiang Liu; Wenjie Yu; Xinke Liu; Qing-Tai Zhao;
机译:双栅垂直T形隧道场效应晶体管表面电位的二维分析模型和漏极电流
机译:在绝缘体上绝缘子上制造具有不对称金属源极/漏极的Ge场效应晶体管:肖特基隧穿源极模式操作和常规模式操作
机译:建模PNIN SSOI隧道场效应晶体管的阈值电压
机译:T形通道隧道场效应晶体管的演示
机译:隧道场效应晶体管技术的紧凑模型和i-MOS平台开发。
机译:T形闸门隧道场效应晶体管单事件效应模拟研究
机译:隧道场效应晶体管及制造隧道场效应晶体管的方法
机译:隧道场效应晶体管及其制造方法
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