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【2h】

Multilevel characteristics of TiOx transparent non-volatile resistive switching device by embedding SiO2 nanoparticles

机译：嵌入SiO2纳米粒子TiOx透明非易失性电阻开关装置的多级特性

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Sera Kwon; Min-Jung Kim; Kwun-Bum Chung;
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年度 2021
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1. Transparent and flexible resistive switching memory devices with a very high ON/OFF ratio using gold nanoparticles embedded in a silk protein matrix [J] . Gogurla N., Mondal S.P., Sinha A.K., Nanotechnology . 2013,第34期

机译：使用嵌入在丝蛋白基质中的金纳米颗粒，具有非常高的开/关比的透明而灵活的电阻式开关存储器件
2. Temperature impact on switching characteristics of resistive memory devices with HfOx/TiOx/HfOx stack dielectric [J] . Mahapatra R., Maji S., Horsfall A. B., Microelectronic Engineering . 2015,第apra期

机译：温度对具有HfOx / TiOx / HfOx叠层电介质的电阻存储器件的开关特性的影响
3. Enhanced resistive switching characteristics in Al2O3 memory devices by embedded Ag nanoparticles [J] . Gao Leiwen, Li Yanhuai, Li Qin, Nanotechnology . 2017,第21期

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4. Low operation voltage transparent resistive random access memory (T-RRAM) based on ultrathin a-TiOx films and its resistive switching characteristics [C] . Yi-Jen Huang, I-Chung Shih, Shih-Chun Chao, IEEE International Nanoelectronics Conference . 2014

机译：基于超薄a-TiOx薄膜的低工作电压透明电阻式随机存取存储器（T-RRAM）及其电阻切换特性
5. Beta-Ga2O3: A transparent conductive oxide for potential resistive switching applications [D] . Zheng, Xiaohao. 2016

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6. The Effect of Multi-Layer Stacking Sequence of TiOx Active Layers on the Resistive-Switching Characteristics of Memristor Devices [O] . Minho Kim, Kungsang Yoo, Seong-Pil Jeon, 2020

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7. Flexible resistive switching bistable memory devices using ZnO nanoparticles embedded in polyvinyl alcohol (PVA) matrix and poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) [O] . Jehova Jire L. Hmar 2018

机译：柔性电阻切换双稳态存储器嵌入聚乙烯醇（PVA）基质中的ZnO纳米颗粒和聚（3,4-亚乙二氧基噻吩）聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT：PSS）

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