机译:短通道单层MOS2现场效应晶体管由SiOx Nanofins定义为20nm
机译:使用单壁碳纳米管作为蒸发掩模的子10 nm单层MOS2晶体管
机译:介电环境和可调带隙晶体管的单层MoS2带隙调制
机译:具有自对准10 nm顶栅的单层MoS2晶体管中的接近弹道传输
机译:使用2D半导体层间改进MOS2晶体管中的触点和装置性能
机译:介电环境和可调带隙晶体管的单层MoS2带隙调制
机译:单层MOS2场效应晶体管的氢等离子体暴露和单层石墨烯的防止脱硫
机译:用于射频应用的低功耗单层mos2晶体管。