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机译:场效应晶体管的n型GaN上肖特基和欧姆接触的形成工艺和特性
机译:平面4H-SiC金属半导体场效应晶体管中的高质量肖特基和欧姆接触和器件性能
机译:具有单层沟道和多层接触的低接触电阻石墨烯场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:双层砧座界面欧姆接触的计算研究:场效应晶体管的影响