A 265 V$_{m RMS}$ Mains Interface Integrated in 0.35 $mu$m CMOS

机译：A 265 V <公式甲型键=“内联”> $ _ { RM RMS} $ MAINS接口集成在0.35 <公式甲型型=“内联”> $ mu $ m cmos

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H. Meyvaert; P. Smeets; M. Steyaert;
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年度 2013
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1. A 0.83-$mu {rm W}$ QRS Detection Processor Using Quadratic Spline Wavelet Transform for Wireless ECG Acquisition in 0.35- $mu{rm m}$ CMOS [J] . Ieong C.-I., Mak P.-I., Lam C.-P., Biomedical Circuits and Systems, IEEE Transactions on . 2012,第6期

机译：使用二次样条小波变换的0.33- $ mu {rm W} $ QRS检测处理器，用于0.35- <公式Formulatype =“ inline”> $ mu {rm m} $ CMOS
2. A 19.2 mW, ${> 45}~{rm dB}$ Gain and High-Selectivity 94 GHz LNA in 0.13 $mu{rm m}$ SiGe BiCMOS [J] . Bi X., Guo Y., Xiong Y.Z., Microwave and Wireless Components Letters, IEEE . 2013,第5期

机译：一个19.2 mW的 $ {> 45}〜{rm dB} $ 增益和高选择性94 GHz LNA在0.13 <公式Formulatype =“ inline”> $ mu {rm m} $ SiGe BiCMOS
3. A 5-GHz Direct Digital Frequency Synthesizer Using an Analog-Sine-Mapping Technique in 0.35- $mu$m SiGe BiCMOS [J] . Yang C.-Y., Weng J.-H., Chang H.-Y. Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2011,第9期

机译：使用模拟正弦映射技术的5GHz直接数字频率合成器，采用0.35- <公式FormulaType =“ inline”> $ mu $ m SiGe BiCMOS
4. A Fully-Integrated $S$-Band Differential LNA in $0.15-mu mathrm{m}$ GaAs pHEMT for Radio Astronomical Receiver [C] . Wei-Cheng Huang, Chau-Ching Chiong, Huei Wang IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology . 2018

机译：用于无线电天文接收器的 $ 0.15- Mathrm {M} $ GaAs Phemt中的完全集成的 $ S $ 频率差分LNA
5. A Compact Resistor-Based CMOS Temperature Sensor With an Inaccuracy of 0.12 °C (3 $sigma$ ) and a Resolution FoM of 0.43 pJ $cdot$ K $^{2}$ in 65-nm CMOS [O] . Woojun Choi, Yongtae Lee, Seonhong Kim, 2018

机译：基于紧凑的电阻式CMOS温度传感器，其不准确为0.12°C（3 $ Sigma $ ）和0.43 pj $ cdot $ k $ ^ {2} $ 65-nm cmos

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