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【2h】

A Honeycomb BeN2 Sheet with a Desirable Direct Band Gap and High Carrier Mobility

机译：具有理想的直接带隙和高载流子移动性的蜂窝Ben2板材

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1. A Honeycomb BeN2 Sheet with a Desirable Direct Band Gap and High Carrier Mobility [J] . Zhang Cunzhi, Sun Qiang Journal of physical chemistry letters . 2016,第14期

机译：具有所需直接带隙和高载流子迁移率的蜂窝状BeN2板
2. A graphene-like Mg3N2 monolayer: high stability, desirable direct band gap and promising carrier mobility [J] . Liu Peng-Fei, Zhou Liujiang, Frauenheimb Thomas, Physical chemistry chemical physics: PCCP . 2016,第44期

机译：类似于石墨烯的Mg3N2单层：高稳定性，理想的直接带隙和有希望的载流子迁移率
3. A graphene-like Mg3N2 monolayer: high stability, desirable direct band gap and promising carrier mobility [J] . Liu Peng-Fei, Zhou Liujiang, Frauenheimb Thomas, Physical chemistry chemical physics: PCCP . 2016,第44期

机译：类似于石墨烯的Mg3N2单层：高稳定性，理想的直接带隙和有希望的载流子迁移率
4. INTERMEDIATE-BAND-ASSISTED HOT-CARRIER SOLAR CELLS USING INDIRECT-BANDGAP ABSORBERS [C] . Yasuhiko Takeda, Tomoyoshi Motohiro European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition . 2012

机译：使用间接带隙吸收剂的中频带辅助热载体太阳能电池
5. Synthesis of new tin -germanium -silicon semiconductors with tunable direct band gaps. [D] . Bauer, Matthew R. 2003

机译：具有可调直接带隙的新型锡锗硅半导体的合成。
6. Theoretical predictions on the electronic structure and charge carrier mobility in 2D Phosphorus sheets [O] . Jin Xiao, Mengqiu Long, Xiaojiao Zhang, -1

机译：二维磷片中电子结构和载流子迁移率的理论预测
7. TlP5: an unexplored direct band gap 2D semiconductor with ultra-high carrier mobility [O] . Jun-Hui Yuan, Alessandro Cresti, Kan-Hao Xue, 2019

机译：TLP5：具有超高载波移动性的未开发的直接带隙2D半导体

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