机译:AlGaN / GaN MOS高电子迁移率晶体管中的电荷收集机制
机译:常关型p-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的栅极泄漏机理
机译:具有不同GaN沟道厚度值的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿机理
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电场和热激活失效机理
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的极化诱导的远程界面电荷散射
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。