Reduced reverse narrow channel effect in thin SOI nMOSFETs

机译：在薄的SOI NMOSFET中降低了反向窄通道效应

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1. Reduced reverse narrow channel effect in thin SOI nMOSFETs [J] . Chun-Yen Chang, Sun-Jay Chang IEEE Electron Device Letters . 2000,第9期

机译：减小薄SOI nMOSFET的反向窄沟道效应
2. Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation [J] . Meng-Ying Zhang, Zhi-Yuan Hu, Da-Wei Bi, 中国物理：英文版 . 2018,第002期

机译：具有浅沟槽隔离的0.13-μmPDSOI nMOSFET增强了辐射诱导的窄沟道效应
3. An Asymmetric Channel SOI nMOSFET for Reducing Parasitic Effects and Improving Output Characteristics [J] . M. A. Pavanello, J. A. Martino, V. Dessard, Electrochemical and solid-state letters . 2000,第1期

机译：一种非对称沟道SOI nMOSFET，可减少寄生效应并改善输出特性
4. The effect of source/drain processing on the reverse short channel effect of deep sub-micron bulk and SOI NMOSFETs [C] . Crowder, S.W., Rousseau, Electron Devices Meeting, 1995., International . 1995

机译：源/漏处理对深亚微米体和SOI NMOSFET的反向短沟道效应的影响
5. Implementation of a fully depleted Δ-channel SOI NMOSFET [D] . Jiao, Zhixian 2000

机译：完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
6. Can breathing-like pressure oscillations reverse or prevent narrowing of small intact airways? [O] . Brian C. Harvey, Harikrishnan Parameswaran, Kenneth R. Lutchen -1

机译：像呼吸一样的压力波动是否可以逆转或阻止完整小气道的狭窄？
7. A Local Mobility Model for Ultra-Thin DGSOI nMOSFETs [O] . Andreas Schenk 2008

机译：用于超薄DGsOI nmOsFET的局部迁移率模型

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