机译:误判:“天线/ INGAN发光二极管的当前拥挤在绝缘基板上”J。苹果。物理。 90,4191(2001)
机译:勘误表:“在改善GaN晶体质量方面的突破和发明p-n结蓝光发光二极管” [Jpn。 J.应用物理45(2006)9001]
机译:出版者注:“ InGaN-GaN多量子阱发光二极管中带边激发发射的量子位移” [Appl。物理来吧70,2978(1997)]
机译:勘误表:“通过极性InGaN / GaN量子阱中局部电场波动增强光致发光增宽的直接证据” [Jpn。 J.应用物理57,020305(2018)]
机译:通过粗糙化p-GaN和未掺杂的GaN表面并在蓝宝石衬底表面上施加镜面来提高InGaN-GaN发光二极管的亮度强度
机译:InGaN / GaN发光二极管热性能的调查分析
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:错误:“电致发光转变能量在脉冲电流条件下的脉冲/ GaN多量子阱发光二极管中的电致发光过渡能量的注射电流依赖性”J。苹果。物理。 118,033101(2015)