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Errata: “Atomic layer etching of metals with anisotropy, specificity, and selectivity” J. Vac. Sci. Technol. A 38, 043005 (2020)

机译：勘误：“具有各向异性，特异性和选择性的金属原子层蚀刻”J。 VAC。 SCI。技术。 a 38,043005（2020）

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Xia Sang; Yantao Xia; Philippe Sautet; Jane P. Chang;
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年度 2021
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机译：勘误表：摘要摘要：过渡金属在过渡金属上的化学吸附-钯（100）上银的理论和实验电子结构[J.真空科学技术。 A 1，1214（1983）]
2. Comments on "Analysis of the Ⅰ-Ⅴ characteristics of Al/4H-SiC Schottky diodes" by J. Zhang and W. R. Harrell [J. Vac. Sci. Technol. B 21, 872 (2003)] [J] . Arthur D. van Rheenen Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure . 2003,第6期

机译：J. Zhang和W. R. Harrell对“ Al / 4H-SiC肖特基二极管的Ⅰ-Ⅴ特性的分析”的评论[J.真空科学技术。 B 21，872（2003）]
3. Erratum: 'Method to pattern etch masks in two inclined planes for three-dimensional nano- and microfabrication' [J. Vac. Sci. Technol. B 29(6), 061604(2011)] [J] . R. Willem Tjerkstra, Leon A. Woldering, Johanna M. van den Broek, Journal of Vacuum Science & Technology . 2012,第2期

机译：勘误表：“在两个倾斜平面上对蚀刻掩模进行构图的方法，用于三维纳米和微加工” [J.真空科学技术。 B 29（6），061604（2011）]
4. Atomic Layer Deposition and Atomic Layer Etching-An Overview of Selective Processes [C] . Samiha Hossain, Oktay H. Gokce, N. M. Ravindra Annual Meeting and Exhibition of the Minerals, Metals and Materials Society . 2021

机译：原子层沉积和原子层蚀刻 - 选择性过程的概述
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6. Correction: Cherkaoui M. Lollier V. Geairon A. Bouder A. Larré C. Rogniaux H. Jamet E. Guillon F. and Francin-Allami M. Cell Wall Proteome of Wheat Grain Endosperm and Outer Layers at Two Key Stages of Early Development. Int. J. Mol. Sci. 2020 21 239 [O] . Mehdi Cherkaoui, Virginie Lollier, Audrey Geairon, 2020

机译：修正：CherkaouiM.LollierV.GeatonA.BouderA.LarréC.RogniauxH.JametE.GuillonF.和Francin-AllamiM. Cell墙小麦籽粒胚乳蛋白质组和外层的早期发育的两个关键阶段。 int。 J.Mol。 SCI。 202021239
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机译：勘误：摘要摘要：V / si界面的电子结构。 pROC。第27届国家aVs symp。，pt。二; J. Vac。科学。 TECHNOL。 18（3），903（1981）

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