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【2h】

Influence and suppression of harmful effects due to by-product in CVD reactor for 4H-SiC epitaxy

机译：CVD反应器副产物对4H-SIC外延的影响和抑制有害影响

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A. Yoshiaki Daigo; B. Toru Watanabe; C. Akio Ishiguro; D. Shigeaki Ishii; E. Yoshikazu Moriyama;
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年度 2021
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1. Nitrogen incorporation during 4H-SiC epitaxy in a chimney CVD reactor [J] . J.Zhang, A.Ellison, A.Henry Journal of Crystal Growth . 2001,第2a3期

机译：烟囱CVD反应器中4H-SiC外延期间的氮掺入
2. A 4H-SiC p-i-n diode fabricated by a combination of sublimation epitaxy and CVD [J] . Bogdanova EV, Volkova AA, Cherenkov AE, Semiconductors . 2005,第6期

机译：结合升华外延和CVD制备的4H-SiC p-i-n二极管
3. Carrier lifetime investigation in 4H-SiC grown by CVD and sublimation epitaxy [J] . P. Grivickas, A. Galeckas, J. Linnros, Materials science in semiconductor processing . 2001,第1a3期

机译：CVD和升华外延生长4H-SiC的载流子寿命研究
4. Reduction of harmful effect due to by-product in CVD reactor for 4H-SiC epitaxy [C] . Yoshiaki Daigo, Toru Watanabe, Akio Ishiguro, International Symposium on Semiconductor Manufacturing . 2020

机译：CVD反应器中的副产物对4H-SIC外延的副产物降低有害作用
5. A theoretical/experimental study of silicon epitaxy and particle dynamics in CVD reactors [D] . Kommu, Srikanth 2001

机译：CVD反应器中硅外延和粒子动力学的理论/实验研究
6. A new model for in situ nitrogen incorporation into 4H-SiC during epitaxy [O] . Gabriel Ferro, Didier Chaussende -1

机译：外延过程中将原位氮掺入4H-SiC的新模型
7. Hydride CVD Hetero-epitaxy of B12P2 on 4H-SiC [O] . C.D. Frye, C.K. Saw, Balabalaji Padavala, 2017

机译：4H-SiC上B12P2的氢化物CVD异质外延
8. Influence of Ion Implantation on Solid Phase Epitaxy of Amorphous Silicon Deposited by LPCVD [R] . Wang, Y. Y., Cheung, N. W., Sadana, D. K., 1985

机译：离子注入对LpCVD沉积非晶硅固相外延的影响

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