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机译:使用乙酰丙酮和O2等离子体的各向同性原子层蚀刻ZnO
A. Mameli; M. A. Verheijen; A. J. M. Mackus; W. M. M. Kessels; F. Roozeboom;
机译:使用乙酰丙酮和O-2等离子体的各向同性原子层蚀刻ZnO
机译:使用含氟等离子体和Al(CH_3)_3的各向同性等离子体原子层蚀刻Al_2O_3
机译:通过使用O2和BCL3等离子体的原子层蚀刻来损坏和自限制(AL)GaN蚀刻工艺
机译:金属钼的热各向同性原子层蚀刻
机译:用于大面积电路应用的等离子增强原子层沉积ZnO薄膜晶体管。
机译:各向同性乙酰丙酮对ZnO原子层的刻蚀和氧气等离子体
机译:在单个等离子体室中进行原子层沉积和原子层蚀刻,以形成FIN FET(场效应晶体管)
机译:使用原子层控制进行膜的各向同性蚀刻
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