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Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization

机译：基于单个设备表征的石墨烯FET技术的接触电阻提取

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Anibal Pacheco-Sanchez; Pedro C. Feijoo; David Jiménez;
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年度 2020
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1. Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization [J] . Pacheco-Sanchez Anibal, Feijoo Pedro C., Jimenez David Solid-State Electronics . 2020,第Octa期

机译：基于单个设备表征的石墨烯FET技术的接触电阻提取
2. Studies on contact resistance in graphene based devices [J] . Liang Chen, Wang Yuelin, Li Tie Microsystem technologies . 2016,第8期

机译：石墨烯基器件的接触电阻研究
3. Low contact resistance metals for graphene based devices [J] . Eiichiro Watanabe, Arolyn Conwill, Daiju Tsuya Diamond and Related Materials . 2012,第Null期

机译：用于石墨烯基器件的低接触电阻金属
4. Efficient contact resistance extraction from individual device characteristics of graphene FETs [C] . Anibal Pacheco-Sanchez, David Jimenez IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference . 2019

机译：从石墨烯FET的各个器件特性中有效提取接触电阻
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
6. Graphene-Based Contacts for Optoelectronic Devices [O] . Susana Fernández, Antonio Molinero, David Sanz, 2020

机译：基于石墨烯的光电器件触点
7. Investigation of electrical contact resistances in graphene-based devices by Kelvin Probe Force Microscopy [O] . Alvarado Chavarin Carlos 2017

机译：用Kelvin探针力显微镜研究石墨烯基器件中的电接触电阻

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