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Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor-Based Quantum Dot

机译:在硅金属氧化物半导体类量子点中测量单电子中的单一电子的旋转弛豫时间

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摘要

We report on measurements of the spin relaxation time T1 of individualelectron spins in the few electron regime of a Si/SiO2-based quantum dot (QD).Energy-spectroscopy of the QD has been performed using a charge sensingtechnique. The spin relaxation times are subsequently measured in thetime-domain by a pump-and-probe method. For the QD that contains an unpairedspin, likely only a single electron, we find that T1 depends strongly on theapplied magnetic field. Possible mechanisms leading to the observed spinrelaxation are discussed.
机译:我们报告了在基于Si / SiO2的量子点(QD)的少量电子状态中的个体电流旋转的旋转弛豫时间t1的测量。使用电荷敏感技术进行了QD的QD的能量光谱。随后通过泵和探针方法在TheTime域中测量旋转弛豫时间。对于含有UNIPAIREDSPIN的QD,可能仅是单个电子,我们发现T1强烈取决于拍摄的磁场。讨论了导致观察到的旋转的可能机制。

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