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【2h】

Effect of Edge Angles on Growth of Thin Surface Layer of Z-cut NH$inf$4$/inf$H$inf$2$/inf$PO$inf$4$/inf$ Crystal

机译：边缘角度对Z-Cut NH $ LT的薄表面层生长的影响; 4 $ LT; / INF $ GT; H $ LT; INF $ GT; 2 $ LT; / INF $ GT; PO $ inf $ 4 $ / inf $ 水晶

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作者
CHENG Gao; LI Ming-Wei; YIN Hua-Wei;
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年度 2016
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机译：<！“CE：INF PLACE =”POST“> 3 作为表面涂层，以增强线条的电化学性能 0.815 CE：INF PLACE =”POST “> 0.15 AL 0.035 O 2 阴极]]>
2. Properties of the c-Si/Al2O3 interface of ultrathin atomic layer deposited Al2O3 layers capped by SiNx for c-Si surface passivation [J] . Schuldis D., Richter A., Benick J., Applied Physics Letters . 2014,第23期

机译：超薄原子层沉积的Al 2 O 3 层的c-Si / Al 2 O 3 界面的性质被SiN x 覆盖以进行c-Si表面钝化
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机译：<！[CDATA [SIO x n Y 和SIO 2 介电层和后表面钝化使用SIO 2 / SIO X N Y 堆叠图层，带有C-Si太阳能电池的屏幕印刷本地AL-BSF]]>
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机译：IgE：469 IL-4INF-＆GAMMA水平；墨西哥Torreon Coahuila有铅暴露风险区域内过敏儿童血清中的IGE和IGG4总量
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机译：<标题> NH <公式> 4 F / H <公式> 2 < /公式> o <公式> 2 CD <公式> 1-x 的效果 Zn <公式> x te crystals

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