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A Full-dry Processing Technique from Sacrificial Layer Etching to Water-repellent Coating

机译：一种从牺牲层蚀刻到防水涂层的全干处理技术

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作者
Keiichi Shimaoka; Jiro Sakata; Yasuichi Mitsushima;
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年度 2003
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1. Electric double layer effect in a nano-scale SiO_2 sacrificial layer etching process and its application in nanowire fabrication [J] . Yibin Gong, Pengfei Dai, Anran Gao, Journal of Micromechanics and Microengineering . 2010,第10期

机译：纳米SiO_2牺牲层刻蚀工艺中的双电层效应及其在纳米线制备中的应用
2. The effects of diffusion coefficient on the etching process of sacrificial oxide layers [J] . Zhonghe Jin, Changju Wu, Huilian Ma, Thin Solid Films . 2007,第5期

机译：扩散系数对牺牲氧化物层刻蚀工艺的影响
3. Damage-free substrate removal technique: wet undercut etching of semipolar (2021) laser structures by incorporation of un/relaxed sacrificial layer single quantum well [J] . Abbas Arwa Saud, Alyamani Ahmed Y., Nakamura Shuji, Japanese journal of applied physics . 2021,第5期

机译：无损坏的衬底去除技术：通过掺入UN / LAYIPLY牺牲层单量子阱掺入Semipolar（2021）激光结构的湿式嵌入蚀刻
4. A Full-dry Processing Technique from Sacrificial Layer Etching to Water-repellent Coating [C] . Y. Mitsushima, J. Sakata, K. Shimaoka Sensor Symposium on Sensors, Micromachines, and Applied Systems . 2002

机译：一种从牺牲层蚀刻到防水涂层的全干处理技术
5. Integrating 3D layered manufacturing with photonic sintering, precision machining and smart coating techniques for rapid casting applications. [D] . Bohra, Hemant. 2014

机译：将3D分层制造与光子烧结，精密加工和智能涂层技术相结合，可用于快速铸造应用。
6. Rolled-Up Nanotech: Illumination-Controlled Hydrofluoric Acid Etching of AlAs Sacrificial Layers [O] . Ruxandra M Costescu, Christoph Deneke, Dominic J Thurmer, 2009

机译：卷起的纳米技术：AlAs牺牲层的照明控制氢氟酸蚀刻
7. Effect of Processing Technique Factors on Structure and Photophysical Properties of Perovskite Absorption Layer by Using Two-Step Spin-Coating Method [O] . Zixiao Zhou, Xiaoping Zou, Jialin Zhu, 2020

机译：加工技术因素对双层旋涂法实现钙钛矿吸收层结构和光物理性能的影响
8. A CMOS-compatible process technique for fabricating laterally embedded multi-nanaochannels without sacrificial etching [R] . Yang, E., Lee, C., Myung, N., 2003

机译：一种CmOs兼容工艺技术，用于制造横向嵌入的多纳米通道而无需牺牲蚀刻

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