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SEFI Modeling in Readout Integrated Circuit Induced by Heavy Ions at Cryogenic Temperatures

机译：低温温度诱导读出集成电路读出集成电路的SEFI建模

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L. Artola; S. Ducret; F. Advent; G. Hubert; J. Mekki;
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年度 2019
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1. SEFI Modeling in Readout Integrated Circuit Induced by Heavy Ions at Cryogenic Temperatures [J] . Artola L., Ducret S., Advent F., IEEE Transactions on Nuclear Science . 2019,第1期

机译：低温下重离子诱导的读出集成电路中的SEFI建模
2. A low power cryogenic 512 × 512-pixel infrared readout integrated circuit with modified MOS device model [J] . Zhao H., Liu X., Xu C. Infrared physics and technology . 2013,第Null期

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3. Fabrication of cryogenic readout circuits with n-type GaAs-JFETs for low temperature detectors [J] . Nagata H, Kobayashi J, Matsuo H, Journal of Low Temperature Physics . 2008,第3a4期

机译：用于低温探测器的具有n型GaAs-JFET的低温读出电路的制造
4. Front-End Integrated Circuits for Readout of Large Area SiPMs at Cryogenic Temperature [C] . Alejandro D. Martinez R International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies . 2019

机译：低温下用于大面积SiPM读出的前端集成电路
5. Effects of non-uniform substrate temperature in high-performance integrated circuits: Modeling, analysis, and implications for signal integrity and interconnect performance optimization. [D] . Ajami, Amir Hooshang. 2003

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6. Update of Single Event Effects Radiation Hardness Assurance of Readout Integrated Circuit of Infrared Image Sensors at Cryogenic Temperature [O] . Laurent Artola, Ahmad Al Youssef, Samuel Ducret, 2018

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7. Phase Transformation in 316L Austenitic Steel Induced by Fracture at Cryogenic Temperatures: Experiment and Modelling [O] . Kinga Nalepka, Błażej Skoczeń, Marlena Ciepielowska, 2020

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