机译:Fe掺杂和堆垛层错对SiC晶须介电常数和微波吸收特性的协同效应
机译:碳热还原法合成β-SiC晶须的堆垛层错及生长方向
机译:TEM研究CF-PVT在4H-SiC衬底上生长的3C-SiC层中的向内生长缺陷
机译:β-SiC晶须的堆叠故障和生长方向由Carbothotmal减少合成
机译:Mg和Mg合金堆垛层错和长周期堆垛有序结构的第一性原理研究
机译:通过室温μ-光致发光和μ-拉曼分析表征3C-SiC外延层截面中的4H和6H类堆积缺陷
机译:spsed TiB / Ti(Femo)复合材料中原位TiB晶须和界面结构的堆垛层错及生长机理