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【2h】

Diagnostics of Possibility to Increase Prediction of Dynamic of Charge Carriers in A P-N-Junction with Optimized Distributions of Dopants

机译：利用掺杂剂优化分布增加P-N结中电荷载体动态预测的可能性诊断

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E.L. Pankratov; E.A. Bulaeva;
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年度 2013
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机译：多孔层的应用以及掺杂剂和辐射缺陷的退火优化，以提高双极异质晶体管中p-n结的清晰度
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4. Endurance-based Dynamic VTHDistribution Shaping of 3D-TLC NAND Flash Memories to Suppress Both Lateral Charge Migration and Vertical Charge De-trap and Increase Data-retention Time by 2.7x [C] . Shun Suzuki, Yoshiaki Deguchi, Toshiki Nakamura, European Solid-State Device Research Conference . 2018

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5. Evaluation of electrical characterization methods for determining charge carrier and dopant concentration in silicon carbide. [D] . Rutsch, Gerald Warner Martin. 1998

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