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【2h】

Trade‐Off Between Data Retention and Switching Speed in Resistive Switching ReRAM Devices

机译：电阻切换RERAM设备数据保留与开关速度之间的折衷

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Sebastian Siegel; Christoph Baeumer; Alexander Gutsche; Moritz Witzleben; Rainer Waser; Stephan Menzel; Regina Dittmann;
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年度 2020
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1. Stable Bipolar Resistive Switching Characteristics and Resistive Switching Mechanisms Observed in Aluminum Nitride-based ReRAM Devices [J] . Kim H.-D., An H.-M., Lee E. B., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第10期

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