机译:交流阻抗法评价Ti_1-x Cr_xN薄膜的电化学性能。
机译:(Ba_(1-x)Bi_(0.33x)Sr_(0.67x))(Ti_(1-x)Bi_(0.67x)V_(0.33x))O_3和(Ba_(1-x)Bi_(0.5x)
机译:纳米管形成的Ti-Nb-Zr合金上电化学沉积的硅羟基磷灰石膜的交流阻抗行为
机译:Ba
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:La0.6Sr0.4CoO3-δ薄膜的电化学特性通过互补阻抗谱和同位素交换深度分析研究
机译:V $ LT; INF $ GT; 2 $ LT; / INF $ GT; TI LT; INF $ GT; 0.5 $ LT; / INF $ GT; CR $ LT; INF $ GT; 0.5 $ LT; 0.5 $ LT; 0.5 $ LT; 0.5 $ LT; /infr ni .; infrgt ;;1-x口; /克;/INF HURGT; MO,;;INFHT; XLLT; / X = = = = 0.02-0.08)NI / MH电池阳极材料
机译:通过mOCVD制备的单晶pb(Zr(sub x)Ti(sub 1-x))O(sub 3)薄膜的成分特性变化