首页> 外文OA文献 >Multiscale modeling of defect formation during solid-phase epitaxy regrowth of silicon

【2h】

Multiscale modeling of defect formation during solid-phase epitaxy regrowth of silicon

机译：硅的固相外延再生期间缺陷形成的多尺度建模

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
M. Prieto-Depedro; I. Romero; I. Martin-Bragado;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Formation of multiple dislocations in Si solid-phase epitaxy regrowth process using stress memorization technique [J] . Shen T. M., Wang S. J., Tung Y. T., Computational Materials Science . 2015,第Null期

机译：利用应力记忆技术在Si固相外延再生过程中形成多位错
2. Athermal germanium migration in strained silicon layers during junction formation with solid-phase epitaxial regrowth [J] . W. Vandervorst, T. Janssens, B. Brijs, Applied Physics Letters . 2005,第8期

机译：固相外延再生结形成过程中应变硅层中的热锗迁移
3. New method for growing silicon carbide on silicon by solid-phase epitaxy: Model and experiment [J] . Kukushkin SA, Osipov AV Physics of the solid state . 2008,第7期

机译：固相外延生长硅上碳化硅的新方法：模型与实验
4. Low-Temperature Solid-Phase Epitaxy of Defect-Free Aluminum p~+-doped Silicon for Nanoscale Device Applications [C] . Yann Civale, Lis K. Nanver, Peter Hadley, Materials Research Society Symposium . 2006

机译：无缺陷铝P〜+掺杂硅的低温固相外延，用于纳米级装置应用
5. Multiscale Modeling and Machine Learning Studies of the Diffusion of Silicon and Intrinsic Defects in III-V Semiconductors [D] . Reveil, Mardochee. 2018

机译：硅和III-V半导体内在缺陷扩散的多尺度建模与机器学习研究
6. A Multiscale Modelling Approach for Estimating the Effect of Defects in Unidirectional Carbon Fiber Reinforced Polymer Composites [O] . Kim-Niklas Antin, Anssi Laukkanen, Tom Andersson, 2019

机译：评估单向碳纤维增强聚合物复合材料中缺陷影响的多尺度建模方法
7. A Dislocation-Crystal Plasticity Simulation on Large Deformation Considering Geometrically Necessary Dislocation Density and Incompatibility (1st Report, Definitions of GN Crystal Defects and Multiscale Modeling) [O] . Yoshiteru AOYAGI, Kazuyuki SHIZAWA 2006

机译：考虑几何必要位错密度和不相容性的大变形上的脱位晶体塑性模拟（第1报告，GN晶体缺陷和多尺度造型的定义）

Multiscale modeling of defect formation during solid-phase epitaxy regrowth of silicon

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅