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【2h】

High-pressure microwave plasma oxidation of 4H-SiC with low interface trap density

机译：高压微波等离子体氧化4H-SIC，低界面陷阱密度

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作者
Xinyu Liu; Jilong Hao; Nannan You; Yun Bai; Shengkai Wang;
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年度 2019
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1. High-pressure microwave plasma oxidation of 4H-SiC with low interface trap density [J] . Xinyu Liu, Jilong Hao, Nannan You, AIP Advances . 2019,第12期

机译：高压微波等离子体氧化4H-SIC，低界面陷阱密度
2. Low Density of Near-Interface Traps at the Al_2O_3/4H-SiC Interface with Al_2O_3 Made by Low Temperature Oxidation of Al [J] . Rabia Y. Khosa, Einar OE. Sveinbjoernsson, Michael Winters, Materials science forum . 2017,第期

机译：Al的低温氧化法制备Al_2O_3与Al_2O_3界面处近界面陷阱的低密度。
3. High-mobility SiC MOSFET with low density of interface traps using high pressure microwave plasma oxidation [J] . Xin-Yu Liu, Ji-Long Hao, Nan-Nan You, 中国物理：英文版 . 2020,第003期

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4. Low density of near-interface traps at the AI2O3/4H-SIC interface with Al2O3 made by low temperature oxidation of Al [C] . Rabia Y. Khosa, Einar Ö. Sveinbjömsson, Michael Winters, 2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials . 2016

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5. Highly Scaled High Dielectric Constant Oxides on III-V CMOS with Low Interface Trap and Low Leakage Densities. [D] . Chobpattana, Varistha. 2016

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