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【2h】

Next-Generation Memory: Double-Layer-Stacked One Diode-One Resistive Switching Memory Crossbar Array with an Extremely High Rectification Ratio of 109 (Adv. Electron. Mater. 7/2017)

机译：下一代内存：双层堆叠的一个二极管 - 一个电阻开关内存横杆阵列，极高的整流比为109（ADV。电子。Matter。7/2017）

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Kyung Jean Yoon; Gun Hwan Kim; Sijung Yoo; Woorham Bae; Jung Ho Yoon; Tae Hyung Park; Dae Eun Kwon; Yeong Jae Kwon; Hae Jin Kim; Yu Min Kim; Cheol Seong Hwang;
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年度 2017
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