机译:较大的“读取”和“写入”裕度,低泄漏功率,六晶体管90nm CMOS SRAM
机译:用于低功耗的65 nm CMOS技术中使用数据感知(DA)SRAM单元实现存储阵列的外围电路设计
机译:低功耗的高密度四晶体管SRAM单元
机译:高稳定性,低电源电压和低待机功耗的六晶体管CMOS SRAM
机译:用于高速缓存设计的低功耗SRAM单元和体系结构。
机译:高密度VRRAM阵列的单个侧壁中的低功耗纳米丝ECM和VCM单元
机译:基于CNTFET的32nm工艺低写功耗sRam单元设计