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Electronic raman scattering in quantum wells: Coupled levels in tilted magnetic fields

机译:量子阱中的电子拉曼散射:倾斜磁场中的耦合水平

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摘要

We report on a magneto-Raman scattering investigation of free and donor-bound electrons in GaAs---AlxGa1-xAs quantum wells. For fields perpendicular to the layers, the spectra show intersubband transitions of photoexcited electrons and 1s -- 1s' donor excitations. Tilted fields lead to subband-Landau level and 1s' - 2p+ coupling. Experimental results for the latter case agree very well with variational calculations. Data on combined intersubband-cyclotron resonances at arbitrary tilt angles are accurately described by expression valid for wells. The parabolic approach is shown to provide a good approximation in situations where coupling to higher subbands can be neglected.
机译:我们报告了GaAs - Alxga1-XAS量子孔中的自由和供体结合电子的磁性拉曼散射研究。对于垂直于图层的字段,光谱示出了光透镜电子和1S - > 1S的供体激发的基间转变。倾斜的田地导致子带 - Landau水平和1S' - 2P +耦合。后者的实验结果与变分算法非常好。通过对孔的表达有效来准确地描述关于任意倾斜角度的组合倾斜角度的组合倾斜角度的数据。抛物线方法显示在可以忽略与较高子带的耦合的情况下提供良好的近似。

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