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UV Raman studies of channel stress in transistors with embedded SiGe source and drain

机译：嵌入式SiGE源和排水管晶体管透气胁迫的UV拉曼研究

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Choun Pei Wong;
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2. Channel stress measurements of 45 nm node transistors with embedded silicon-germanium source and drain using ultraviolet Raman [J] . C. P. Wong J. Kasim J. P. Liu A. See and Z. X. Shen Applied Physics Letters . 2010,第21期

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4. Strained pMOSFETs with SiGe channel and embedded SiGe source/drain stressor under heating and hot-carrier stresses [C] . Wang Mu-Chun, Peng Min-Ru, Ji Liang-Ru, 2013 International Symposium on Next-generation Electronics . 2013

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