机译:使用两种不同的激光蚀刻,自蚀刻和酸蚀刻方法对正畸支架下的微渗漏进行体外评估
机译:Si DRIE工艺的发展,可以同时从窄而宽的掩模开口进行蚀刻
机译:凹槽蚀刻辅助抗蚀剂开口对栅极长度较短的InAlAs / InGaAs异质结FET的栅极沟槽形状的影响
机译:用于快速,精确的深蚀刻纳米MEMS结构制造的轮廓光刻方法
机译:电化学刻蚀法制备适用于扫描探针显微镜的钨棒
机译:使用激光蚀刻和酸蚀方法体外评估正畸支架周围的微渗漏
机译:通过圆形掩模开口对si的湿各向同性蚀刻的扩散理论的实验验证
机译:压力容器开口附近应力的光弹性研究;压力容器中加强开口应力的光弹性测定;压力容器中加强开口的pVRC光弹性试验数据的初步评价