机译:InGaP GaAs HBT技术中的20 GHz低相位噪声推压VCO
机译:具有低相位噪声和宽调谐带宽的108GHz InP-HBT单片推挽VCO
机译:具有低相位噪声和宽调谐带宽的108GHz InP-HBT单片推挽VCO
机译:基于先进的低频噪声模型的低相位噪声2 GHz HBT推压VCO
机译:用于基于延迟单元的VCO和频率合成器的低相位噪声,低时序抖动设计技术。
机译:低相位噪声18 GHz Kerr频率微梳锁相在65 THz以上
机译:低相位噪声2 GHz HBT推压VCO型 ud先进的低频噪声模型