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【2h】

Properties of Single Crystalline 3C-SiC Thin Films Grown with Several Carbonization Conditions

机译：用几种碳化条件生长的单晶3C-SiC薄膜的性质

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作者
Jae-Cheol Shim; Gwiy-Sang Chung;
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年度 2010
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1. Effect of Carbonized Conditions on Residual Strain and Crystallinity Quality of Heteroepitaxial Growth 3C-SiC Films [J] . CHEN Da, ZHANG Yu-Ming, ZHANG Yi-Men, 中国物理快报：英文版 . 2009,第008期

机译：碳化条件对异质外延生长3C-SiC薄膜残余应变和结晶质量的影响
2. Structural and electrical properties of single crystalline and bi-crystalline ZnO thin films grown by molecular beam epitaxy [J] . Lu Zhong-Lin, Zou Wen-Qin, Xu Ming-Xiang, 中国物理：英文版 . 2010,第007期
3. Structural and electrical properties of single crystalline and bi-crystalline ZnO thin films grown by molecular beam epitaxy [J] . 路忠林, 邹文琴, 徐明祥, 中国物理：英文版 . 2010,第007期

机译：分子束外延生长单晶和双晶ZnO薄膜的结构和电学性质
4. The Microstructure and Surface Morphology of Thin 3C-SiC Films Grown on (100) Si Substrates Using an APCVD-Based Carbonization Process [C] . C.-H. Wu, J. Chung, M.H. Hong, 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM2000 September 3-7 2000 Kloster Banz, Germany. . 2000

机译：基于APCVD的碳化工艺在（100）硅衬底上生长的3C-SiC薄膜的微观结构和表面形态
5. Surface structure determinations of crystalline ionic thin films grown on transition metal single crystal surfaces by low -energy electron diffraction. [D] . Roberts, Joel Glenn. 2000

机译：通过低能电子衍射确定过渡金属单晶表面上生长的晶体离子薄膜的表面结构。
6. Micro-Raman Mapping of 3C-SiC Thin Films Grown by Solid–Gas Phase Epitaxy on Si (111) [O] . TS Perova, J Wasyluk, SA Kukushkin, 2010

机译：固-气相外延在Si（111）上生长的3C-SiC薄膜的微喇曼映射
7. Thin films-preparation, structure and properties. Metal crystallites grown in MgO single crystalline films. [O] . Kazuhiro MIHAMA 1987

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