机译:SiO2缓冲层厚度对无定形Ingazno伪MOS场效应晶体管器件可靠性的影响
机译:有源层厚度对双有源层非晶InGaZnO薄膜晶体管性能和稳定性的影响
机译:具有各种高k栅极电介质的非晶InGaZnO薄膜晶体管的器件性能和可靠性的比较研究
机译:有源层厚度对非晶InGaZnO薄膜晶体管中负偏压应力引起的不稳定性的影响
机译:双层非晶Ingazno薄膜晶体管,具有高迁移率和高可靠性
机译:InGaZnO薄膜晶体管的后处理,以改善偏置照明应力的可靠性。
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:在具有各种有源层厚度的无定形Ingazno薄膜晶体管中探索光吞蓄电流和光突出的负偏置不稳定性
机译:实空间转移的集合蒙特卡罗模拟(NERFET /正泰)(负差分电阻场效应晶体管/电荷注入晶体管)器件