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【2h】

Temperature- and doping-dependent nanoscale Schottky barrier height at the Au/Nb:SrTiO3 interface

机译：在AU / NB的温度和掺杂依赖纳米级肖氏屏障高度：SRTIO3接口

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R. Buzio; A. Gerbi; E. Bellingeri; D. Marré;
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年度 2018
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1. Temperature- and doping-dependent nanoscale Schottky barrier height at the Au/Nb:SrTiO_3 interface [J] . Buzio R., Gerbi A., Bellingeri E., Applied Physics Letters . 2018,第14期

机译：Au / Nb：SrTiO_3界面上与温度和掺杂有关的纳米肖特基势垒高度
2. Precise control of Schottky barrier height in SrTiO3/SrRuO3 heterojunctions using ultrathin interface polar layers [J] . Kumar V. Sampath, Niranjan Manish K. Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal . 2016,第25期

机译：使用超薄界面极性层精确控制SRTIO3 / SRRUO3异质通红的肖特基势垒高度
3. Electrical transport across Au/Nb:SrTiO3 Schottky interface with different Nb doping [J] . Rana K. G. Applied Physics Letters . 2012,第21期

机译：不同Nb掺杂跨Au / Nb：SrTiO3肖特基界面的电传输
4. PARAMETER EXTRACTION OF OXIDIZED Ni/Au AND Ni-ONLY TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES (TCOs) ON N-TYPE GaN SCHOTTKY BARRIER DIODE WITH BIAS DEPENDENCE BARRIER HEIGHT AND IDEALITY FACTOR AT DIFFERENT TEMPERATURES [C] . Ali. T. Hajjiah, Asmaa. A. Alkhabbaz, Noah. P. Allen, European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition . 2017

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5. Spatial inhomogeneous barrier heights at graphene/semiconductor Schottky junctions. [D] . Tomer, Dushyant. 2016

机译：石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
6. The External Electric Field-Induced Tunability of the Schottky Barrier Height in Graphene/AlN Interface: A Study by First-Principles [O] . Xuefei Liu, Zhaocai Zhang, Bing Lv, 2020

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7. Electrical transport across Au/Nb:SrTiO3 Schottky interface with different Nb doping [O] . Rana, K. G., Khikhlovskyi, V., Banerjee, T. 2013

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