机译:电流路径对基于GaMnAs的磁性隧道结中隧穿磁阻和自旋扭矩临界电流密度测量的影响
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机译:GDFECO层临界电流密度对热辅助STT-RAM组成的依赖性
机译:散装纹理Bi-2223对热处理和冷中压的临界电流密度依赖性
机译:HTS YBCO薄膜中临界电流密度的厚度依赖性机理及其纳米工程消除方法。
机译:通过热辅助自旋传递转矩(TAS + STT)切换的磁性隧道结(MTJ)的紧凑模型
机译:电流路径对隧道磁电阻测量的影响 基于Gamnas的磁隧道中的自旋转矩临界电流密度 路口
机译:临界电流密度和溅射高T(sub c)膜的磁阻的角度依赖性