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A 6800-$mu$ m2 Resistor-Based Temperature Sensor With ±0.35 °C (3$sigma$ ) Inaccuracy in 180-nm CMOS

机译：6800 - $ MU $ M2电阻的温度传感器，±0.35°C（3 $ SIGMA $）180-NM CMOS不准确

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Jan A. Angevare; Kofi A. A. Makinwa;
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年度 2019
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1. A Compact Resistor-Based CMOS Temperature Sensor With an Inaccuracy of 0.12 °C (3$sigma$) and a Resolution FoM of 0.43 pJ$cdot$< [J] . Woojun Choi, Yongtae Lee, Seonhong Kim, Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2018,第12期

机译：精度为0.12°C的紧凑型基于电阻器的CMOS温度传感器（3 $ sigma $ ），解析度FoM为0.43 pJ $ cdot $ <
2. A 5800- μ m2 Resistor-Based Temperature Sensor With a One-Point Trimmed Inaccuracy of ±1.2 °C ( 3σ ) From −50 °C to 105 °C in 65-nm CMOS [J] . Yongtae Lee, Woojun Choi, Taewoong Kim, . 2019,第9期

机译：基于5800微米电阻的温度传感器，单点修剪±1.2°C（3σ）的±1.2°C（3σ），在65-nm cmos中为105°C
3. A 1.2-V 10-$mu$ W NPN-Based Temperature Sensor in 65-nm CMOS With an Inaccuracy of 0.2 $^{circ}$ C (3$sigma$ ) From $-$ 70 $^{circ}$ C to 125 $^{circ}$ C [J] . Sebastiano F.Breems L. J.Makinwa K. A. A.Drago S.Leenaerts D. M. W.Nauta B. Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2010,第12期

机译：基于65-nm CMOS的基于1.2V10-μmuWW NPN的温度传感器，精度为0.2- $ 70 $ ^ $ circ（C $ 3）（$ 3））至125 $ ^ {circ} $ C
4. A 6800-μm2 Resistor-Based Temperature Sensor in 180-nm CMOS [C] . Jan Angevare, Kofi A.A. Makinwa IEEE Asian Solid-State Circuits Conference . 2018

机译：在180-NM CMOS中，6800-μm 2 电阻式温度传感器
5. Inertial Sensor Design at Dynamic Range Extremes: Integrated CMOS-MEMS high-g and mu-g accelerometers. [D] . Tsao, Amy Wung. 2011

机译：动态范围极限条件下的惯性传感器设计：集成式CMOS-MEMS高g和mu g加速度计。
6. A CMOS-Thyristor Based Temperature Sensor with +0.37 °C/−0.32 °C Inaccuracy [O] . Jing Li, Yuyu Lin, Siyuan Ye, 2020

机译：基于CMOS晶闸管的温度传感器具有+0.37°C / -0.32°C的误差
7. A 5800-$mu$ m2 Resistor-Based Temperature Sensor With a One-Point Trimmed Inaccuracy of ±1.2 °C ($3sigma$ ) From −50 °C to 105 °C in 65-nm CMOS [O] . Yongtae Lee, Woojun Choi, Taewoong Kim, 2019

机译：5800 - $ MU $ M2电阻的温度传感器，单点修剪±1.2°C（$ 3 SIGMA $）的±1.2°C（$ 3 SIGMA $），在65-NM CMOS中为105°C

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