机译:ECDR,具有内部VCO频率校准的辐射硬40/80/160/320 Mbit / s CDR,在130nm CMOS中具有内部VCO频率校准和195 PS可编程相位分辨率
机译:使用多相注入锁定预分频器的0.5 V,9 GHz子整数频率合成器,用于基于相位切换的可编程除法,并在45 nm CMOS中实现自动注入锁定校准
机译:使用多相注射锁定预分频器的0.5V,9-GHz次整数合成器,用于基于相位切换的可编程划分,在45-NM CMOS中自动注射锁定校准
机译:130 nm高电阻率CMOS / SOI中的10 GHz低相位噪声完全集成VCO,用于40 Gbits / s数据通信
机译:采用130 nm CMOS的8通道可编程80/160/320 Mbit / s辐射硬相位对准器电路