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机译:一种新的GAN基础设备,P-Cascode GaN HEMT及其同步降压转换器电路实现
Chih-Chiang Wu; Ching-Yao Liu; Guo-Bin Wang; Yueh-Tsung Shieh; Wei-Hua Chieng; Edward Yi Chang;
机译:低压降压转换器中基于GaN的控制开关和同步整流器的分析开关损耗模型
机译:使用GaN Power HEMT的高性能同步降压DC-DC转换器设计
机译:基于高效的GHz切换GaN的同步降压转换器模块
机译:GaN基同步降压转换器中的硬开关速度提高
机译:分析建模 和加载 降压转换器 的 GaN基 点 的 发展 与 优化 反向传导 损耗
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:测试基于GaN的HEMT器件的温度极限
机译:高击穿电压结构,用于基于GAN的高性能HEMT和MOS设备,以启用GAN C-MOS
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
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