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机译:用于非易失性存储应用的全溶液基Ag / TiO2 / Mo掺杂In2O3器件的电阻开关特性
机译:用于非易失性存储器的新型Pt / Co_(0.2)TiO_(3.2)/ ITO器件中的丝电阻切换研究
机译:ALN层对非易失性存储器应用锡薄膜型号型号的双极电阻切换行为的影响
机译:用于超高密度,低功耗非易失性存储应用的高性能金属氧化物半导体器件的技术突破
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:Cu / siC / au非易失性电阻存储器件中的非极性电阻切换
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成